| 型号： | STB120N4LF6 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
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| 制造商： | STMicroelectronics | 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| STB120N4LF6 PDF |  |
| 其它有关文件 | STB120N4LF6 View All Specifications |
| 标准包装 | 1,000 |
| 系列 | STripFET™ DeepGATE™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 110W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 497-11096-2 |